集成電路的培訓
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集成電路的培訓范文第1篇
產業化基地成立以來，堅持以發展本地集成電路產業，建立健全產業鏈，壯大產業集群，提供良好的產業技術支撐環境為己任，卓有成效地開展了一系列服務工作，取得了顯著成績，有力地推進了西安集成電路產業的發展，并已成為政府推動集成電路產業發展所需產業規劃與研究、資源整合與配置、招商引資咨詢、企業孵化與扶持、交流與合作、高層次人才引進與培養、專業技術支撐與咨詢服務等的橋梁與載體，對西安集成電路產業發展起到了“組織、協調、引導、推進與聚集”的作用，取得了良好的國內外影響和社會效益，為區域新興科技產業的發展注入了新的活力，為地方集成電路產業規模化奠定了基礎。
1.西安集成電路產業發展現狀
西安產業化基地堅持“政府引導、市場驅動、深化服務”的方針，以發展集成電路產業，建立健全產業鏈，壯大產業集群，提供良好的產業支撐環境為目標，建立了較為完善的產業公共服務與技術支撐服務體系。隨著一系列扶持集成電路產業優惠政策的制定實施和產業公共服務的不斷拓展深化，西安集成電路產業得到了快速發展，在產業規模、產業鏈完善、自主創新、人才吸引和培養、公共技術支撐與服務平臺建設等方面取得了一定成就。
產業規模不斷增大：經過近10年的發展，陜西省現有集成電路企業70多家，其中95％都集中在西安，設計企業近50家，制造封裝企業8家，硅材料生產企業10家，設備制造企業8家，測試與分析中心3個，相關科研機構約18個，學歷教育機構8個，專業培訓機構2個，并形成了以西安高新區為核心的集成電路產業聚集區。從引導完善集成電路產業鏈出發，聚集了英特爾、西岳電子、美光、威世半導體、天勝、應用材料等重點Ic企業，形成了集成電路設計、加工制造、封裝測試及半導體支撐等較為完整的產業鏈。陜西集成電路產業2001年實現銷售收入約3.2億元，2005年達到20.2億元，2010年達到70.22億元，“十一五”期間增長近3.5倍。2010年，我國集成電路產業銷售收入為1440.15億元，增幅為29.8％，陜西省2010年銷售收入增幅為41.92％，約占全國銷售總額的5％。
企業自主創新能力不斷提升：目前，西安集成電路企業擁有自主知識產權的產品累計300多種，涵蓋了物聯網、通信、微處理器、信息家電、半導體照明、消費電子、設備制造、器件研發等多個領域。代表性產品有：華芯的存貯器、西電捷通的WAPI IP核、深亞的SDH芯片、英洛華的LED驅動芯片、龍騰微電子的32位嵌入式CPU、理工晶科的8/12寸硅芯爐、能訊基于氮化鎵的開關功率晶體管元器件、炬光的大功率激光器等，充分體現了西安在集成電路領域的巨大潛力和科技研發與創新優勢。
人才優勢促進產業發展：西安有10多家集成電路研究機構及高校，與集成電路相關的科研、教學與設計的技術人員約占全國的六分之一，在西安交通大學、西安電子科技大學、西北工業大學、西安郵電學院等多所高等院校設有微電子學科或集成電路設計專業及重點實驗室，年在校相關學科學生近10萬人，年輸送相關學科畢業生2萬余人，占全國的14％，人才優勢為西安承接產業轉移提供了充足的人力資源保障。同時，隨著本地集成電路產業的興起，外流人才紛紛回歸，2005年以來成立的留學生企業10多家，給西安集成電路產業帶來了先進的技術、豐富的管理經驗和大量的資金，人力資源和產業資本相互吸引、相互促進的局面正在形成。
公共服務平臺輻射帶動作用明顯：西安基地在做好集成電路設計業的同時，注重發揮基地的輻射帶動作用，將服務延伸到整個半導體產業鏈，提出了發展上游半導體材料與設備、中游集成電路制造、下游集成電路封裝與測試產業集群，以及半導體照明、太陽能光伏、先進半導體器件、衛星導航應用等產業集群的建議。目前，以集成電路產業集群為核心、硅材料與太陽能光伏產業集群為支撐、半導體照明與衛星導航應用產業集群為補充的新興半導體產業正在形成，并已成為西安信息產業新的增長點。
產業發展存在的問題：經過近10年的發展，西安集成電路產業水平得到了大幅的提升。但相比之下，仍然存在一些問題，比如設計業與整機的結合力度不足、產業鏈相對弱小、支撐業發展滯后、適用性人才不足、產業環境亟需改善等這些因素制約了本地集成電路產業的快速發展。
2.產業發展思路
“十二五”期間，西安將統籌優勢資源，優先發展集成電路設計業，大力發展分立器件制造業，積極引進新一代芯片生產線，提升封裝測試水平和能力，增強關鍵設備和基礎材料的開發能力；在承接產業轉移的過程中，積極促進企業的整合重組，以龍頭企業帶動產業的發展，促進產業集群的建立，完善產業相關配套環境建設。
政策引領，聚合力量，促進產業大發展。以培育具有國際競爭力的戰略性產業為目標，以政府支持和市場需求為導向，以改善產業發展環境和創新機制為手段，引導資本、技術、人才、市場等要素交叉整合，優化配置，統籌協調產、學、研、用各環節有效銜接，形成合力，促進產業結構調整，整合資源，優化結構，重點突破，實現集成電路產業跨越式發展。
著眼全局，推動創新，提升產業競爭力。推行從芯片設計到系統應用的全產業鏈思維，積極推進技術創新、模式創新、制度創新，推動銀企積極合作，大力培育集成電路在新興產業中的應用，通過改造提升，實現傳統產業的升級換代，在產業鏈各環節形成有核心競爭力的企業，構建戰略性集成電路產業研發和產業化體系。
3.產業發展目標
通過新興產業培育和產業結構調整，到“十二五”末企業數量達到100家以上，全行業銷售收入達到400億元，從業人員達到6萬人，其中高端技術、管理人員達到10％，工程技術人員達到40％，高級技術工人達到30％；著重提升產業發展層次和水平，通過轉變發展方式和機制創新，建立起以企業為主體、以市場為導向、產學研用相結合的機制，增強企業自主創新能力，全行業加大研發投入力度，企業科研投入強度占銷售額的比例平均達到6％，重點骨干企業研發投入強度力爭達到8％。
4.產業布局規劃
以關天經濟區建設為契機，以西安為中心，統籌整合咸陽、寶雞、渭南、漢中、天水等西部地區現有的微電子產業資源，發展上、下游配套的產業鏈，建立由“一區四園一基地”組成的西部微電子產業基地。
西安集成電路產業出口加工區：依托西安出口加工區B區，完善其基礎及配套設施建設，引進出口加工型企業落戶，使區內企業達到10家以上，成為西安集成電路產業國際化的支撐平臺。利用出口加工區的政策優勢，培育龍頭企業，發揮龍頭企業的
輻射帶動作用，促進相關配套企業跟進，帶動集成電路產業的快速發展。
西安集成電路設計產業園：以西安高新技術產業開發區為依托，建設西安集成電路設計產業園，形成集成電路設計企業聚集區，吸納40-50家集成電路設計企業人駐；建設集中的產業公共技術支撐服務區，營造良好的人力資源供給環境，大力吸引境外跨國公司的研發機構、國內知名企業的設計中心和本地規模設計企業入駐，加大創業企業的扶持力度，使園區成為智力引進和實現企業自主創新的有效載體，成為推動集成電路產業可持續發展的源動力。
西安集成電路制造產業園：以西安高新技術產業開發區為依托，建設西安集成電路制造產業園。以新型分立器件、LED芯片及集成電路制造為核心，加大招商引資力度，吸引5-10家規模制造企業入園，使其成為國內有一定影響力的集成電路制造產業園區。
西安集成電路封裝測試產業園：以西安經濟技術產業開發區為依托，建設西安集成電路封裝測試產業園，大力扶持本地企業，積極引進國內外知名企業及相關配套企業，吸引5-10家企業入駐，將該園區打造成國內有一定影響力的封裝測試產業園。
西安集成電路設備與材料產業園：以西咸新區和西安民用航天基地為依托，建設西安集成電路設備與材料產業園，聚集一批設備與材料及相關配套企業聚集的產業園區，吸引15家以上相關企業入駐，發揮我西安裝備制造業優勢，建成國內一流、西部第一的集成電路設備與材料企業聚集區。
5.進一步完善產業服務體系
自2000年國家科技部在西安設立國家集成電路設計西安產業化基地以來，產業化基地一直采取“政府主導”的建設模式，探索出了一條產業推進、技術支撐與產業服務協調發展的有效模式，建立了較為完善的產業公共服務和技術支撐服務體系，形成了具有鮮明特色的“專業孵化器+產業公共服務+技術支撐服務+專業人才培養”的綜合服務體系，能夠為企業提供從產業研究、產業咨詢、企業孵化、產業推進等產業公共服務和EDA設計服務、MPW&IP服務、封測服務及人才培養等技術支撐服務。“十一五”期間，孵化集成電路企業20多家，通過服務平臺為產業發展爭取各類資金超過1億元，舉辦和參加行業展會近30次，為政府決策提業研究報告和專項報告10多項；利用EDA設計平臺開發產品30多個，通過MPW&IP平臺流片的產品近200種，流片費用近1億元，封裝測試平臺服務項目近100個，培訓平臺培養各類技術人員4000多人，為企業累計節約成本超過1億元，極大的促進了西安集成電路產業的發展。
“十二五”期間，產業化基地將以“一區四園一基地”為依托，進一步完善產業服務體系，提升產業化基地的服務能力，促進西安集成電路產業的突破發展。
產業服務方面：建立產品展示交易平臺，構建電子商務系統，定期舉辦和參加有影響力的行業會議，形成全方位的產品展示交易服務體系；搭建投融資服務平臺，設立“陜西集成電路專項種子基金”，將政府引導和市場優化資源配置相結合，多渠道引導國內外風險投資基金、金融債券等資金進入集成電路產業，為產業發展提供所需的金融資本支持。
集成電路的培訓范文第2篇
集成電路(IC)產業是戰略性、基礎性和產業之間關聯度很高的產業。它是電子信息產業和現代工業的基礎,也是改造提升傳統產業的核心技術,已成為衡量一個國家經濟和信息產業發展水平的重要標志之一,是各國搶占經濟科技制高點、提升綜合國力的重點領域。
集成電路產業是典型的知識密集型、技術密集型、資本密集和人才密集型的高科技產業,它不僅要求有很強的經濟實力,還要求具有很深的文化底蘊。集成電路產業由集成電路設計、掩模、集成電路制造、封裝、測試、支撐等環節組成。隨著集成電路技術的提升、市場規模的擴大以及資金投入的大幅提高,專業化分工的優點日益體現出來,集成電路產業從最初的一體化IDM,逐漸發展成既有IDM,又有無集成電路制造線的集成電路設計(Fabless)、集成電路代工制造(Foundry)、封裝測試、設備與材料支撐等專業公司。
國家始終把集成電路作為信息產業發展的核心。2000年國家18號文件(《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》)出臺后,為我國集成電路產業的發展創造了良好的政策環境。2005年國家制定的《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006-2020年)》安排了16個國家重大專項,其中兩個涉及到集成電路行業,一個是“核心電子器件、高端通用集成電路及基礎軟件產品”,另外一個則是“集成電路成套工藝、重大設備與配套材料”,分列第一、二位。2008年國家出臺的《電子信息產業調整與振興規劃》明確提出:加大鼓勵集成電路產業發展政策實施力度,立足自主創新,突破關鍵技術,要加大投入,集中力量實施集成電路升級,著重建立自主可控的集成電路產業體系。
無錫是中國集成電路產業重鎮,曾作為國家南方微電子工業基地,先后承擔國家“六五”、“七五”和“九0八”工程。經過近20年的不斷發展,無錫不僅積累了雄厚的集成電路產業基礎,而且培育和引進了一批骨干企業,有力地推動了我國集成電路產業的發展。2000年,無錫成為國家科技部批準的7個國家集成電路設計產業化基地之一。2008年,無錫成為繼上海之后第二個由國家發改委認定的國家微電子高新技術產業基地,進一步確立了無錫在中國集成電路產業中的優勢地位,2009年8月7日,溫總理訪問無錫并確立無錫為中國物聯網產業發展的核心城市,微電子工業作為物聯網產業發展的基礎電子支撐,又引來了新一輪的發展機遇。
發展集成電路產業是實現無錫新區產業結構調整、支撐經濟可持續發展、引領經濟騰飛、提升創新型城市地位、提高城市綜合實力和競爭力的關鍵。無錫新區應當抓住從世界金融危機中回暖和建設“感知中國中心”的發展機遇,以優先發展集成電路設計業、重視和引進晶圓制造業、優化發展封測配套業、積極扶持支撐業為方向,加大對產業發展的引導和扶持,加快新區超大規模集成電路產業園的建設,加強高端人才的集聚和培育,實現無錫市委市政府提出的“把無錫打造成為中國真正的集成電路集聚區、世界集成電路的高地、打造‘中國IC設計第一區’和‘東方硅谷’品牌的愿景”,實現新區集成電路產業的跨越式發展。
2新區超大規模集成電路園
(2010年-2012年)行動計劃
2.1 指導思想
全面貫徹落實科學發展觀,堅持走新型工業化道路,緊跟信息產業發展的世界潮流,以積極扶持、引導現有存量企業為基礎,以引進和孵化為手段,以重點項目為抓手,大力集聚高科技人才,加大政府推進力度,提高市場化運行程度,強攻設計業,壯大制造業,構建集成電路設計、制造、封裝測試、系統應用、產業支撐于一體的完整IC產業鏈,建成“東方硅谷”。
2.2 發展目標
從2010年到2012年,無錫新區集成電路產業年均引進企業數15家以上,期內累計新增規范IC企業40家,期末產業鏈企業總數120家以上,產業規模年均增長25%以上,2012年目標400億元,到2015年,全區集成電路產業規模達到800億元,占全國比重達20%以上。年均引進和培養中、高級IC人才600名,期內累計新增2000名,期末專業技術高端人才存量達3000名。
2.3 主要任務
2.3.1 重點發展領域
按照“優先發展集成電路設計業,重點引進晶圓制造業,優化提升封裝測試業,積極扶植支撐業”的基本思路,繼續完善和落實產業政策,加強公共服務,提升自主創新能力,推進相關資源整合重組,促進產業鏈各環節的協調發展,形成無錫市集成電路產業最集中區域。
2.3.2 產業發展空間布局
集成電路產業是無錫新區區域優勢產業,產業規模占據全市70%以上,按照“區域集中、產業集聚、發展集約”的原則,高標準規劃和建設新區超大規模集成電路產業園,引導有實力的企業進入產業園區,由園區的骨干企業作龍頭,帶動和盤活區域產業,增強園區產業鏈上下游企業間的互動配合,不斷補充、豐富、完善和加強產業鏈建設,形成具有競爭實力的產業集群,成為無錫新區集成電路產業發展的主體工程。
無錫新區超大規模集成電路產業園位于無錫新區,距離無錫碩放機場15公里,距無錫新區管委會約3公里。
超大規模集成電路產業園區總規劃面積3平方公里,規劃區域北起泰山路、西至錫仕路,東臨312國道和滬寧高速公路,南至新二路。園區規劃主體功能區包括制造業區設計孵化區、設計產業化總部經濟區、設計產業化配套服務區等,占地共700畝,規劃基礎配套區包括建設園內干道網和開放式對外交通網絡,同步配套與發展IC設計產業相關聯的寬帶網絡中心、國際衛星中心、國際培訓中心等,按照園內企業人群特點,規劃高端生活商務區。
園區目前已有國內最大工藝最先進的集成電路制造企業海力士恒億半導體,南側有KEC等集成電路和元器件制造、封測企業。園區的目標是建成集科研教育區、企業技術產品貿易區、企業孵化區、規模企業獨立研發區和生活服務區于一體的高標準、國際化的集成電路專業科技園區,作為承接以IC設計業為主體、封測、制造、系統方案及支撐業為配套的企業創新創業的主要載體。支持跨國企業全球研發中心、技術支持中心、產品系統方案及應用、上下游企業交流互動、規模企業獨立研發配套設施、物流、倉儲、產品營銷網點、國際企業代表處等的建設,組建“類IDM”的一站式解決方案平臺。
2.3.3 主要發展方向與任務
(1)集成電路設計業
集成電路設計是集成電路產業發展的龍頭,是整個產業鏈中最具引領和帶動作用的環節,處于集成電路價值鏈的頂端。國家對IC產業、特別是IC設計業發展的政策扶持為集成電路發展IC設計產業提供了良好的宏觀政策環境。“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”與“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”列在16個重大專項的第一、二位,說明政府對集成電路產業的高度重視。這兩個重大專項實施方案的通過,為IC設計企業提升研發創新能力、突破核心技術提供了發展機遇。新區集成電路產業的發展需要密切結合已有產業優勢,順應產業發展潮流,進一步促進集成電路產業的技術水平和整體規模,實現集成電路設計產業新一輪超常規的發展。
1)、結合現有優勢,做大做強以消費類為主的模擬芯片產業。
無錫集成電路產業發展起步早,基礎好,實力強。目前,無錫新區積聚了60余家集成電路設計企業,包括國有企業、研究機構、民營企業以及近幾年引進的海歸人士創業企業。代表性企業包括有:華潤矽科、友達、力芯、芯朋、美新、海威、無錫中星微、硅動力、紫芯、圓芯、愛芯科、博創、華芯美等公司。產品以消費類電子為主,包括:DC/DC、ADC/DAC、LED驅動、射頻芯片、智能電網芯片等,形成了以模擬電路為主的產品門類集聚,模擬IC產品的研發和生產,成為無錫地區IC設計領域的特色和優勢,推動以模擬電路產品開發為基礎的現有企業實現規模化發展,是新區集成電路產業做大做強的堅實基礎。
2)結合高端調整戰略,持續引進、培育系統設計企業。
無錫“530”計劃吸引眾多海外高端集成電路人才到無錫創業,已經成為無錫城市的一張“名片”,并在全球范圍內造就了關注高科技、發展高科技的影響力。以海歸人員為代表的創業企業相繼研發成功通信、MEMS、多媒體SOC等一批高端產品,為無錫高端集成電路設計的戰略調整,提供了堅實的人才基礎和技術基礎。隨著海峽兩岸關系的平緩與改善,中國臺灣正在考慮放寬集成電路設計企業到大陸投資政策,新區要緊緊抓住這一機遇,加大對中國臺灣集成電路設計企業的引進力度。新區擁有相對完善的基礎配套設施、宜居的人文環境、濃厚的產業氛圍、完備的公共技術平臺和服務體系,將成高端集成電路人才創業的首選。
3)結合電子器件國產化戰略,發展大功率、高電壓半導體功率器件。
高效節能已經成為未來電子產品發展的一個重要方向,電源能耗標準已經在全球逐步實施,將來,很多國家將分別實施綠色電源標準,世界各國已對家電與消費電子產品的待機功耗與效率開始實施越來越嚴格的省電要求,高效節能保護環境已成為當今共識。提高效率與減小待機功耗已成為消費電子與家電產品電源的兩個非常關鍵的指標。中國目前已經開始針對某些產品提出能效要求,此外,歐美發達國家對某些電子產品有直接的能效要求,如果中國想要出口,就必須滿足其能效要求,這些提高能效的要求將會為功率器件市場提供更大的市場動力。功率器件包括功率IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業,除了保證設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于制造工藝等因素的限制,形成相對較高的技術門檻,同時,新區企業擁有的深厚的模擬電路技術功底以及工藝開發制造能力,作為一種產業化周期相對較短的項目,現在越來越清晰的看到,模擬和功率器件是新區集成電路設計業的重點發展方向。
4)結合傳感網示范基地建設,發展射頻電子、無線通信、衛星電子、汽車電子、娛樂電子及未來數字家居電子產業。
“物聯網”被稱為繼計算機、互聯網之后,世界信息產業的第三次浪潮。專家預測10年內物聯網就可能大規模普及,應用物聯網技術的高科技市場將達到上萬億元的規模,遍及智能交通、環境保護、公共安全、工業監測、物流、醫療等各個領域。目前,物聯網對于全世界而言都剛起步,各個國家都基本處于同一起跑線。溫總理訪問無錫并確立無錫為未來中國傳感網產業發展的核心城市,將成為難得的戰略機遇,新區集成電路產業應該緊緊圍繞物聯網產業發展的歷史機遇,大力發展射頻電子、MEMS傳感技術、數字家居等,為傳感網示范基地建設和物聯網產業的發展,提供有效的基礎電子支撐。
(2)集成電路制造業
重大項目,特別是高端芯片生產線項目建設是擴大產業規模、形成產業集群、帶動就業、帶動產業發展的重要手段。是新區集成電路產業壯大規模的主要支撐,新區要確保集成電路制造業在全國的領先地位,必須扶持和推進現有重點項目,積極引進高端技術和特色配套工藝生產線。
1)積極推進現有大型晶園制造業項目
制造業投資規模大,技術門檻高,整體帶動性強,處于產業鏈的中游位置,是完善產業鏈的關鍵。新區集成電路制造業以我國的最大的晶圓制造企業無錫海力士-恒億半導體為核心,推動12英寸生產線產能擴張,鼓勵企業不斷通過技術改造,提升技術水平,支持企業周邊專業配套,完善其產業鏈。鼓勵KEC等向集成器件制造(IDM)模式的企業發展,促進設計業、制造業的協調互動發展。積極推進落實中國電子科技集團公司第58所的8英寸工藝線建設,進一步重點引進晶圓制造業,確保集成電路制造業在國內的領先地位。
2)重視引進高端技術與特色工藝生產線
國際IC大廠紛紛剝離芯片制造線,甩掉運轉晶圓制造線所帶來的巨大成本壓力,向更專注于IC設計的方向發展。特別是受國際金融危機引發的經濟危機影響以來,這一趨勢更為明顯,紛紛向海外轉移晶圓制造線,產業園將緊緊抓住機遇,加大招商引資力度。在重點發展12英寸、90納米及以下技術生產線,兼顧8英寸芯片生產線的建設的同時,重視引進基于MEMS工藝、射頻電路加工的特色工藝生產線,協助開發模擬、數模混合、SOI、GeSi等特色工藝產品,實現多層次、全方位的晶圓制造能力。
(3)集成電路輔助產業
1)優化提升封裝測試業
無錫新區IC封裝測試業以對外開放服務的經營模式為主,海力士封裝項目、華潤安盛、英飛凌、東芝半導體、強茂科技等封測企業增強了無錫新區封測環節的整體實力。近年來封測企業通過強化技術創新,在芯片級封裝、層疊封裝和微型化封裝等方面取得突破,縮短了與國際先進水平的差距,成為國內集成電路封裝測試的重要板塊。
隨著3G手機、數字電視、信息家電和通訊領域、交通領域、醫療保健領域的迅速發展,集成電路市場對高端集成電路產品的需求量不斷增加,對QFP(LQFP、TQFP)和QFN等高腳數產品及FBP、MCM(MCP)、BGA、CSP、3D、SIP等中高檔封裝產品需求已呈較大的增長態勢。無錫新區將根據IC產品產業化對高端封測的需求趨勢,積極調整產品、產業結構,重點發展系統級封裝(SIP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等先進封裝測試技術水平和能力,提升產品技術檔次,促進封測產業結構的調整和優化。
2)積極扶持支撐業
支撐與配套產業主要集中在小尺寸單晶硅棒、引線框架、塑封材料、工夾具、特種氣體、超純試劑等。我國在集成電路支撐業方面基礎還相當薄弱。新區將根據企業需求,積極引進相關配套支撐企業,實現12英寸硅拋光片和8~12英寸硅外延片、鍺硅外延片、SOI材料、寬禁帶化合物半導體材料、光刻膠、化學試劑、特種氣體、引線框架等關鍵材料的配套。以部分關鍵設備、材料為突破口,重視基礎技術研究,加快產業化進程,提高支撐配套能力,形成上下游配套完善的集成電路產業鏈。
3保障措施
國家持續執行宏觀調控政策、集成電路產業升溫回暖以及國內IC需求市場持續擴大、國際IC產業持續轉移和周期性發展是無錫新區集成電路產業發展未來面臨的主要外部環境,要全面實現“規劃”目標,就必須在落實保障措施上很下功夫。2010-2012年,新區集成電路產業將重點圍繞載體保障、人才保障、政策保障,興起新一輪環境建設和招商引智,實現產業的轉型升級和產業總量新的擴張,為實現中國“IC設計第一區”打下堅實的基礎。
3.1 快速啟動超大規模集成電路產業園載體建設
按照相關部門的部署和要求,各部門協調分工負責,前后聯動,高起點規劃,高標準建設。盡快確定園區規劃、建設規劃、資金籌措計劃等。2010年首先啟動10萬平方米集成電路研發區載體建設,2011年,進一步加大開發力度,基本形成園區形象。
3.2 強力推進核“芯”戰略專業招商引智工程
以國家集成電路設計園現有專業招商隊伍為基礎,進一步補充和完善具備語言、專業技術、國際商務、投融資顧問、科技管理等全方位能力的專門化招商隊伍;區域重點突破硅谷、中國臺灣、北京、上海、深圳等地專業產業招商,聚焦集成電路設計業、集成電路先進制造業、集成電路支撐(配套)業三個板塊,引導以消費類為主導的芯片向高端系統級芯片轉變,以創建中國“集成電路產業第一園區”的氣魄,調動各方資源,強力推進產業招商工作。
3.3 與時俱進,不斷更新和升級公共技術服務平臺
進一步仔細研究現有企業對公共服務需求情況,在無錫IC基地原有EDA設計服務平臺、FPGA創新驗證平臺、測試及可靠性檢測服務平臺、IP信息服務平臺以及相關科技信息中介服務平臺的基礎上,拓展系統芯片設計支撐服務能力,搭建適用于系統應用解決方案開發的系統設計、PCB制作、IP模塊驗證、系統驗證服務平臺。為重點培育和發展的六大新興產業之一的“物聯網”產業的發展提供必要的有效的服務延伸。支持以專用芯片設計為主向系統級芯片和系統方案開發方向延伸,完善、調整和優化整體產業結構。支持集成電路芯片設計與MEMS傳感器的集成技術,使傳感器更加堅固耐用、壽命長、成本更加合理,最終使傳感器件實現智能化。
3.4 內培外引,建設專業人才第一高地
加大人才引進力度。針對無錫新區集成電路產業發展實際需求,豐富中高級人才信息積累,每年高級人才信息積累達到500名以上。大力推進高校集成電路人才引導網絡建設,與東南大學、西安電子科技大學、成都電子科技大學等國內相關院校開展合作,每年引進相關專業應屆畢業生500人以上,其中研究生100人以上。及時研究了解國內集成電路產業發達地區IC人才結構、人才流動情況,實現信息共享,每年引進IC中高級人才200人以上。積極開展各類國際人才招聘活動,拓寬留學歸國人員引進渠道,力爭引進國際IC專家、留學歸國人員100人以上。到2012年,無錫新區IC設計高級專業技術人才總數達到3000人。
建立健全教育培訓體系。以東南大學的集成電路學院在無錫新區建立的高層次人才培養基地為重點,到2012年碩士及以上學歷培養能力每年達到500人。支持江南大學、東南大學無錫分校擴大本科教育規模,加強無錫科技職業學院集成電路相關學科的辦學實力,建立區內實踐、實習基地,保障行業對各類專業技術人才的需求。與國際著名教育機構聯合建立高層次的商學院和公共管理學院,面向企業中高層管理人員,加強商務人才和公共管理人才的培養。
3.5 加強制度創新,突出政策導向
近幾年,新區管委會多次調整完善對IC設計創新創業的扶持力度(從科技18條到55條),對IC設計產業的發展起了很大的作用,根據世界IC產業發展新態勢、新動向,結合新區IC產業現狀及未來發展計劃,在2009年新區科技55條及其它成功踐行政策策略基礎上,建議增加如下舉措:
1、在投融資方面,成立新區以IC設計為主的專業投資公司,參考硅谷等地成熟理念和方法,通過引進和培養打造一支專業團隊,管理新區已投資的IC設計公司,成立每年不少于5000萬元的重組基金,在國家IC設計基地等配合下,通過資本手段,移接硅谷、新竹、筑波等世界最前沿IC設計產業化項目,推進新區IC設計公司改造升級,進軍中國乃至世界前列。
2、政策扶持范圍方面,從IC設計擴大到IC全產業鏈(掩模、制造、封裝、測試等),包括設備或材料、配件供應商的辦事處或技術服務中心等。
3、在提升產業鏈相關度方面,對IC設計企業在新區內配套企業加工(掩模、制造、封裝、測試)的,其繳納的增值稅新區留成部分進行補貼。
4、在高級人才引進方面,將2009年55條科技政策中關于補貼企業高級技術和管理人才獵頭費用條款擴大到IC企業。
集成電路的培訓范文第3篇
為滿足集成電路方面教學和科研的需要，同濟大學電子科學與技術系以985三期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費所購置的設備為主體，充分整合利用本系目前已有的設備，完成了一個覆蓋完整的集成電路設計平臺的構建。依托同濟大學第8期實驗教改項目的支持，電子科學與技術系在平臺的應用方面進行了有益的探索：針對本科生實驗教學完成了集成電路設計系列實驗課程開設；在集成電路相關科研項目中進行了實際應用，為科研工作提供了良好的支撐。
【關鍵詞】
集成電路；設計平臺；實驗教學；科研
進入21世紀之后，集成電路在我國相關產業及教育領域的重要性日益凸顯。2000年6月，國務院了綱領性文件《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（國發2000〔18號〕）[1]，明確了集成電路作為國家戰略性新興產業的地位。在其后的國家中長期科技發展規劃等文件中，均將集成電路列為重要的發展方向，自此我國集成電路產業進入了蓬勃發展的時期。產業的快速發展必然需要科技和教育的配合。基于此原因，國務院科教領導小組批準實施國家科技重大專項—集成電路與軟件重大專項，其后教育部、科技部決定在國內有相對優勢的高等院校建立國家集成電路人才培養基地，分別于2003年、2004年及2009年分3批批準和支持20所高校進行人才培養基地的建設工作。筆者所在的同濟大學為第2批建設的6所高校之一。
同濟大學電子科學與技術系成立于2002年，歷史較短，在集成電路方面的基礎較為薄弱。但自成立之初便將集成電路設計列為最重要的教學與科研方向之一，參考國際知名高校以及國內兄弟院校的先進經驗[2-4]，在課程設置等人才培養環節進行了積極的探索[5]。但是，集成電路設計強調工程設計實踐，如果缺乏相應的設計平臺，僅以理論知識為主，會導致培養出的學生與產業需求契合度不高。這也是諸多高校在集成電路設計的實驗設置及實踐環節進行教學改革和積極探索的原因[6-7]。我系也意識到亟須加強實踐環節的相關建設。基于以上原因，我們充分利用985三期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費的支持，在集成電路設計平臺的構建方面進行了積極的嘗試。
1建設方案與建設過程
1.1平臺建設的基礎依托985二期實驗室建設、教育部修購計劃兩項經費為我系的教學改革提供了非常有力的支持，根據各個學科方向的統籌規劃，分配約150萬元用于集成電路及與系統設計相關的設備購置。購置的設備見表1、表2。除以上兩部分設備之外，本系已經部分購置了與集成電路設計相關的設備，如Dell服務器、SUN工作站、各類測試與信號發生設備等。因此，我系已經初步具備了建設一個覆蓋半導體器件制備與分析、集成電路設計與測試、系統級設計驗證完整流程的專業實驗與設計平臺的基礎條件。
1.2總體構想與平臺規劃基于上述基礎硬件設備，我系在有限的場地資源中安排了專門的場地作為半導體器件與集成電路設計專業實驗室，以支持集成電路設計平臺的建設。將擬建設的半導體與集成電路設計專業實驗室劃分為4個功能區：服務器與中央控制區、集成電路設計區、集成電路分析與測試區、系統級設計與驗證區。總體的規劃如圖1所示，功能與設備支撐概述如下。（1）服務器與中央控制區。主要空間用于放置3個機柜、承載兩個機架式服務器（HP、Dell）、存儲陣列（SAS15000RPM接口、初始配置7.2TB）、一個臥式服務器（超微）以及UPS電源、萬兆交換機等供電和網絡配件。需注意該部分噪聲較大，故應與實驗室其他功能區隔離。提供VPN、遠程配置以及各類必要的服務，配置完整的EDA工具系統，覆蓋集成電路設計全流程。（2）集成電路設計區。20個左右的工位，主要為HP工作站。具備兩類工作方式：作為終端登錄服務器系統使用；在服務器系統不能提供支持時獨立使用。除工作站之外，配備2～3個文件柜、工具柜。（3）集成電路分析與測試區。主要功能為集成電路（晶圓、裸片、封裝后芯片）的分析、測試。分析與測試系統以兩套手動探針測試臺（包括基座、卡盤、ADV顯微鏡）、超長焦金相顯微鏡（超長工作距離，2000倍放大）、4套微米級精確位移系統（包括探針、針臂、針座、線纜與接口）為主，并配備2臺臺式計算機以及信號發生器、穩壓電源、邏輯分析儀1臺、示波器1臺，用作信號發生與記錄、信號與圖像采集功能。配備兩個實驗工具柜。（4）系統級設計與驗證區。6個工位，配備2～3臺計算機。考慮到面積有限，而該區功能較多，以多功能復用的方式設置工位的功能。該區的功能包括：①板級電路設計與測試。主要支撐設備為必要的計算機系統（軟、硬件）。多臺邏輯分析儀、示波器、信號發生器、萬用表、穩壓電源、必要的電子元器件及焊接設備等。②基于FPGA的系統設計。主要支撐設備為計算機系統（軟、硬件）、4套Virtex-5FPGA系統。③嵌入式系統設計。主要支撐設備為計算機系統、3套VeriSOC-ARM9開發平臺、多套PSoC開發套件、多套ARM開發套件、微控制器開發套件等。④集成電路系統級驗證。與板級電路與測試共用各類設備。
1.3軟硬件系統與設計流程構建基于新購買的存儲陣列（NetApp）、服務器（DL380G7）、交換機（CISCO），并整合本系統原有的兩臺服務器（一臺Dell機架式、一臺超微立式），構成一個EDA開發服務系統。系統構建方面，我們進行了基于傳統的EDA開發環境架構，以及基于虛擬化系統進行構建的兩種嘗試。存儲結構上基于存儲陣列，提供足夠安全的冗余備份與保護。系統具備負載均衡功能。最終構建的系統可直接支持同一實驗室內20臺以上HP工作站的同時接入，并提供遠程登錄支持；以及通過同濟大學校園網，提供外網的VPN接入支持。在硬件系統的基礎上，我們安裝配置了完善的EDA工具鏈，以提供覆蓋全流程的集成電路設計支持。
2教學與科研應用
前述所構建的集成電路設計平臺僅是基礎的軟硬件系統，如果要在實際的教學和科研工作中進行使用，尚需進行相關的課程大綱規劃、實驗方案設計以及實際的芯片設計檢驗。通過同濟大學第8期實驗教學改革項目的支持，我們在這些方面開展了一定的工作，主要包括以下兩個方面。
2.1教學應用完成了實驗方案內容建設，構建形成了一套覆蓋集成電路設計全流程的實驗方案，并兼顧半導體器件、集成電路測試；設計的系列實驗應用于新開設的“集成電路設計實驗”課程中，以豐富和擴展該門課程的實驗內容，提高學生的學習積極性。該課程每周4學時，已經完成2013、2014兩個學年的實驗教學工作。具體的實驗內容包括反相器實驗（電路原理圖輸入、電路仿真、版圖設計、版圖設計規則檢查及一致性檢查、后仿真）、一位全加器系列試驗、基本模擬電路單元設計實驗、綜合定制設計實驗、硬件描述語言設計與驗證實驗（選做）、自動綜合與布局布線設計實驗（選做）。構建的軟硬件平臺，除用于集成電路設計實驗課之外，亦用于電子系“半導體器件物理”“半導體工藝原理”等多門課程的實驗環節，以及本科生畢業設計中。與現有的本科生各類創新活動相結合，為該類活動的人員選拔與培養、培訓起到了一定的輔助作用。
2.2科研應用集成電路設計平臺除用于相關的實驗教學任務之外，亦可為相關的科研工作提供良好的支撐。在該平臺所定義的開發環境及設計流程上，我們完成了兩款65納米工藝超大規模集成電路芯片的設計工作，其中一款已經返回，并進行了較為完整的測試，功能及性能均符合預期，芯片如圖2、圖3所示。這些設計很好地確證了該平臺的完整性和可靠性。
【參考文獻】
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集成電路的培訓范文第4篇
引言
微電子產業在我國不斷的發展壯大，微電子企業對微電子技術人才的需求在逐年增加，高技能型微電子技術人才的缺乏成為制約微電子制造企業發展的瓶頸之一。我校微電子技術專業在“校企共培、角色漸變”的雙主體人才培養模式下，不斷深化課程體系改革，構建了校企共同構建崗位職業技能培養和學生素質提升并重的課程體系。
《集成電路制造工藝》是微電子技術專業針對集成電路生產企業中集成電路制造工藝員崗位而開設的一門核心主干課，集成電路制造工藝員是微電子技術專業學生就業的重要崗位之一。目前，集成電路制造工藝課程經過多年的校企共同開發建設，在教學內容、教學方法以及教學手段上不斷進行探索和實踐，獲得了一些實踐經驗。
1.高職集成電路制造工藝課程建設中存在的問題
（1）缺少面向高職學生、適合高職教學的教材。目前出版的集成電路制造工藝教材講述理論知識的偏多，近年面向高職出版的教材盡管增加了實際操作的內容，但多數停留在設備介紹上面，關于企業實際工藝操作流程介紹還不夠。
（2）缺少集成電路制造工藝實踐教學條件。集成電路制造實驗設備比較專業并且比較昂貴，設備維護費用高，目前開設集成電路工藝課程的學校擁有集成電路制造實驗室的學校相當的少，和實際的生產工藝環境存在一定的差距。
（3）教學組織上大多數才用的是傳統的課堂理論教學，教學效果不理想。集成電路制造工藝介紹的工藝原理對于高職學生來說過于抽象，難以理解，老師難以調動學生的學習積極性，教學效果總是不理想。
（4）課程考核模式大多數采用傳統的筆試的形式，缺乏對學生在學習過程中的考核，對于學生的學習情況不能及時的掌握，導學促教的功能難以發揮。
2.“教學做”一體化教學模式是集成電路工藝課程改革的有效途徑
“教學做”一體化的教學模式源于教育學家陶行知先生提出的“教學做合一”思想，強調了“教學做”三者的統一。“教學做”一體化改變了傳統的課堂教學模式，通過課堂的開放式教學，使理論知識學習與實踐技能的學習有機地融為一體，充分挖掘出學生掌握知識和技能的潛能，使教師和學生之間形成溝通配合的有機整體。
《集成電路制造工藝》要求學生掌握集成電路制造過程中的各項工藝流程的原理，工藝流程的操作過程以及工藝設備的操作方法等。集成電路制造行業背景和生產環境相比與傳統的電子產品制造企業有很大不同，因此在集成電路制造生產性實訓基地開展教學是非常必要的，同時，生產性集成電路制造工藝實訓基地為“教學做”一體化實施提供了有利的條件。
3. “教學做”一體化教學在集成電路制造工藝課程中的實施
3. 1 課程內容以“任務驅動、項目導向”，按照項目化設置
通過長期的教學和企業實踐，將集成電路制造工藝課程以制作具有電路功能的芯片為工作任務，按照企業生產車間的劃分，把工作任務分解為若干個子任務，每個子任務對應一個項目，按照項目來組織教學。課程主要內容如表1所示。
3.2“教學做”一體化教學實施條件
“教學做”一體化教學的實施離不開現代化的教學條件，因此，實踐性教學基地是集成電路制造工藝課程實施的場所保障。
（1）校內外實踐基地。我校已經建成了生產性集成電路制造工藝中心，工藝中心的設備及生產環境和集成電路制造企業實際生產環境基本一致，能夠滿足基本的生產任務需要。微電子技術專業學生在大三將進入校外實訓基地微電子企業進行頂崗實習，在企業資深工藝技師的指導下，邊學邊做，通過“教學做”的不斷實踐，從而實現學生從學校畢業生就到企業員工的無縫連接。
（2）雙師素質的教師隊伍。我校和重慶的主要微電子企業在人才培養模式和課程體系建設上有著長期的校企合作。同時，我校的教師深入到企業調研，參與企業生產實踐活動，從而使我校的專任教師具備企業工程師素質；同時，企業派工程師參與專業課程標準的制定，共同確定課程教學內容，共同開發教材等。通過學校企業兼職教師培訓及鑒定，來自企業的工程師成為我校的企業兼職教師。
3.3 在教學組織實施過程中貫穿“教學做”一體化教學思想
集成電路制造工藝課程根據項目化課程內容，選擇集成電路制造工藝中心為教學場地，展開教學組織活動。集成電路制造工藝中心是一個對潔凈度要求非常高的工作環境，因次學生到中心學習必須參照企業員工的著裝要求及相關規定進入實訓室。
首先，由指導老師給學生介紹工藝的原理、設備及操作工藝流程。然后指導老師給學生做工藝操作的演示、學生在旁邊觀察學習，老師演示工藝操作以后，緊接著由學生自己來動手的操作，老師在旁邊進行指導，整個過程老師和學生教學做一體。在組織教學實施中，以學生為中心，工藝操作過程中碰到問題，由學生自己首先思考，尋解決問題的方法和途徑，在條件允許的情況下，可以讓學生動手去驗證自己的想法是否可行，老師則在旁邊進行指導，給學生提出建議。
3.4“教學做”一體化教學模式中課程考核形式多樣化
“教學做”一體化教學模式，改變了傳統的教學模式，因此，對課程的考核注重對過程的考核。
課程的成績由出勤率占10%+平時課堂表現占60%+期末綜合測試占30%組成。平時課堂表現成績的認定根據各個項目每個學生的參與程度、解決問題的能力的綜合表現來給予評定，最后總成績為各個項目學生所得成績之和。因此，學生對整個課程的實施必須全程積極參與，否則將會影響期末成績的評定。一定程度上提高了學生的學習積極性。同時老師能夠及時的掌握學生的學習情況，調整教學內容或者教學方法，更好的組織教學工作。
4. 結束語
集成電路制造工藝課程在教學內容的選取上根據學生面向崗位的要求進行設置，在教學組織實施中，以項目化為導向，在教學的過程中運用“教學做”一體化思想，做到教中學，學中做，做中學，使理論和實踐有機的結合在一起，實踐證明，學生通過該課程的學習，能夠具有企業對集成電路工藝員崗位的職業技能要求。集成電路工藝不斷有新技術的出現，企業對集成電路制造人才的質量要求在不斷提高，因此，課程在以后的建設中需要不斷的完善教學內容，提高教學組織的有效性。（作者單位：重慶城市管理職業學院）
資金資助：重慶城市管理職業學院教改課題（2011jgkt0015）
參考文獻
集成電路的培訓范文第5篇
關鍵詞：微電子學；實驗室建設；教學改革；
1微電子技術的發展背景
美國工程技術界在評出20世紀世界最偉大的20項工程技術成就中第5項——電子技術時指出：“從真空管到半導體，集成電路已成為當代各行各業智能工作的基石”。微電子技術發展已進入系統集成(SOC—SystemOnChip)的時代。集成電路作為最能體現知識經濟特征的典型產品之一，已可將各種物理的、化學的和生物的敏感器(執行信息獲取功能)和執行器與信息處理系統集成在一起，從而完成從信息獲取、處理、存儲、傳輸到執行的系統功能。這是一個更廣義的系統集成芯片，可以認為這是微電子技術又一次革命性變革。因而勢必大大地提高人們處理信息和應用信息的能力，大大地提高社會信息化的程度。集成電路產業的產值以年增長率≥15%的速度增長，集成度以年增長率46%的速率持續發展，世界上還沒有一個產業能以這樣的速度持續地發展。2001年以集成電路為基礎的電子信息產業已成為世界第一大產業。微電子技術、集成電路無處不在地改變著社會的生產方式和人們的生活方式。我國信息產業部門準備充分利用經濟高速發展和巨大市場的優勢，精心規劃，重點扶持，力爭通過10年或略長一段時間的努力，使我國成為世界上的微電子強國。為此，未來十年是我國微電子技術發展的關鍵時期。在2010年我國微電子行業要實現下列四個目標：
(1)微電子產業要成為國民經濟發展新的重要增長點和實現關鍵技術的跨越。形成2950億元的產值，占GDP的1.6%、世界市場的4%，國內市場的自給率達到30%，并且能夠拉動2萬多億元電子工業產值。從而形成了500~600億元的純利收入。
(2)國防和國家安全急需的關鍵集成電路芯片能自行設計和制造。
(3)建立起能夠良性循環的集成電路產業發展、科學研究和人才培養體系。
(4)微電子科學研究和產業的標志性成果達到當時的國際先進水平。
在這一背景下，隨著國內外資本在微電子產業的大量投入和社會對微電子產品需求的急驟增加，社會急切地需要大量的微電子專門人才，僅上海市在21世紀的第一個十年，就需要微電子專門人才25萬人左右，而目前尚不足2萬人。也正是在這一背景下，1999年以來，全國高校中新開辦的微電子學專業就有數十個。2002年8月教育部全國電子科學與技術專業教學指導委員會在貴陽工作會議上公布的統計數據表明，相當多的高校電子科學與技術專業都下設了微電子學方向。微電子技術人才的培養已成為各高校電子信息人才培養的重點。
2微電子學專業實驗室建設的緊迫性
我國高校微電子學專業大部分由半導體器件或半導體器件物理專業轉來，這些專業的設立可追溯到20世紀50年代后期。辦學歷史雖長，但由于多年來財力投入嚴重不足，而微電子技術發展迅速，國內大陸地區除極個別學校外，其實驗教學條件很難滿足要求。高校微電子專業實驗室普遍落后的狀況，已成為制約培養合格微電子專業人才的瓶頸。
四川大學微電子學專業的發展同國內其它院校一樣走過了一條曲折的道路。1958年設立半導體物理方向(專門組)，在其后的40年中，專業名稱幾經變遷，于1998年調整為微電子學。由于社會需求強勁，1999年微電子學專業擴大招生數達90多人，是以往招生人數的2倍。當時，我校微電子學專業的辦學條件與微電子學學科發展的要求形成了強烈反差：實驗室設施陳舊、容量小，教學大綱中必需的集成電路設計課程和相應實驗幾乎是空白；按照新的教學計劃，實施新課程和實驗的時間緊迫，基本設施嚴重不足；教師結構不合理，專業課程師資缺乏。
在關系到微電子學專業能否繼續生存的關鍵時期，學校組織專家經過反復調研、論證，及時在全校啟動了“523實驗室建設工程”。該工程計劃在3~5年時間內，籌集2~3億資金，集中力量創建5個適應多學科培養創新人才的綜合實驗基地；重點建設20個左右基礎(含專業及技術基礎)實驗中心(室)；調整組合、合理配置、重點改造建設30個左右具有特色的專業實驗室。“523實驗室建設工程”的啟動，是四川大學面向21世紀實驗教學改革和實驗室建設方面的一個重要跨越。學校將微電子學專業實驗室的建設列入了“523實驗室建設工程”首批重點支持項目，2000年12月開始分期撥款275萬元，開始了微電子學專業實驗室的建設。怎樣將有限的資金用好，建設一個既符合微電子學專業發展方向，又滿足本科專業培養目標要求的微電子學專業實驗室成為我們學科建設的重點。
3實驗室建設項目的實施
3.1整體規劃和目標的確立
微電子技術的發展要求我們的實驗室建設規劃、實驗教改方案、人才培養目標必須與其行業發展規劃一致，既要腳踏實地，實事求是，又必須要有前瞻性。尤其要注意國際化人才的培養。微電子的人才培養若不能實現國際化，就不能說我們的人才培養是成功的。
基于這樣的考慮，在調查研究的基礎上，我們將實驗室建設整體規劃和目標確定為：建立國內一流的由微電子器件平面工藝與器件參數測試綜合實驗及超大規模集成電路芯片設計綜合實驗兩個實驗系列構成的微電子學專業實驗體系，既滿足微電子學專業教學大綱要求，又適應當今國際微電子技術及其教學發展需求的多功能的、開放性的微電子教學實驗基地。我們的目標是：
(1)建立有特色的教學體系——微電子工藝與設計并舉，強化理論基礎、強化綜合素質、強化能力培養。
(2)保證寬口徑的同時，培養專業技能。
(3)建立開放型實驗室，適應跨學科人才的培養。
(4)在全國微電子學專業的教學中具有一定的先進性。
實踐中我們認識到，要實現以上目標、完成實驗室建設，必須以教學體系改革、教材建設為主線開展工作。
3.2重組實驗教學課程體系，培養學生的創新能力和現代工業意識
實驗課程體系建設的總體思路是培養創造性人才。實驗的設置要讓學生成為實驗的主角和與專業基礎理論學習相聯系的主動者，能激發學生的創造性，有專業知識縱向和橫向自主擴展和創新的余地。因此該實驗體系將是開放式的、有層次的和與基礎課及專業基礎課密切配合的。實驗教學的主要內容包括必修、選修和自擬項目。我們反復認真研究了教育部制定的本科微電子學專業培養大綱及國際上對微電子學教學提出的最新基本要求。根據專業的特點，充分考慮目前國內大力發展集成電路生產線(新建線十條左右)和已成立近百家集成電路設計公司對人才的強烈需求，為新的微電子專業教學制定出由以下兩個實驗系列構成的微電子學專業實驗體系。
(1)微電子器件平面工藝與器件參數測試綜合實驗。
這是微電子學教學的重要基礎內容，也是我校微電子學教學中具有特色的實驗課程。這一實驗系列將使學生了解和初步掌握微電子器件的主要基本工藝，工藝參數的控制方法和工藝質量控制的主要檢測及分析方法，深刻地了解成品率在微電子產品生產中的重要性。同時，半導體材料特性參數的測試分析系列實驗是配合“半導體物理”和“半導體材料”課程而設置的基本實驗，通過整合，實時地與器件工藝實驗配合，雖增加了實驗教學難度，卻使學生身臨其境直觀地掌握了工藝對參數的影響、參數反饋對工藝的調整控制、了解半導體重要參數的測試方法并加深對其相關物理內涵的深刻理解。這樣的綜合實驗，對于學生深刻樹立產品成品率，可靠性和生產成本這一現代工業的重要意識是必不可少的。
(2)超大規模集成電路芯片設計綜合實驗。
這是微電子學教學的重點基礎之一。教學目的是掌握超大規模集成電路系統設計的基本原理和規則，初步掌握先進的超大規模集成電路設計工具。該系列的必修基礎實驗共80學時，與之配套的講授課程為“超大規模集成電路設計基礎”。除此而外，超大規模集成電路測試分析和系統開發實驗不僅是與“超大規模集成電路原理”和“電路系統”課程套配，使學生更深刻的理解和掌握集成電路的特性；同時也是與前一系列實驗配合使學生具備自擬項目和獨立創新的理論及實驗基礎。
3.3優化設施配置，爭取項目最佳成效
由于項目實施的時間緊迫、資金有限。我們非常謹慎地對待每一項實施步驟。力圖實現設施的優化配置，使項目產生最佳效益。最終較好地完成了集成電路設計實驗體系和器件平面工藝實驗體系的實施。具體內容包括：
(1)集成電路設計實驗體系。集成電路設計實驗室機房的建立——購買CADENCE系統軟件(IC設計軟件)、ZENILE集成電路設計軟件；集成電路設計實驗課程體系由EDA課程及實驗、FPGA課程及實驗、PSPICE電路模擬及實驗、VHDL課程及實驗、ASIC課程及實驗、IC設計課程及實驗等組成。
(2)器件平面工藝實驗體系和相關參數測試分析實驗。結合原有設備新購并完善平面工藝實驗系統，包括：硼擴、磷擴、氧化、清洗、光刻、金屬化等；與平面工藝同步的平面工藝參數測試，包括：方塊電阻、C-V測試(高頻和準靜態)、I-V測試、Hall測試、膜厚測試(ELLIPSOMETRY)及其它器件參數測試(實時監控了解器件參數，反饋控制工藝參數)；器件、半導體材料物理測試設備，如載流子濃度、電阻率、少子壽命等。
(3)與實驗室硬件建設配套的軟件建設和環境建設。實驗室環境建設、實驗室崗位設置、實驗課程的系統開設、向相關學院及專業提出已建實驗室開放計劃、制定各項管理制度。
在實驗室的階段建設中，我們分步實施、邊建邊用、急用優先，在建設期內就使實驗室發揮出了良好的使用效益。
3.4強化管理，實行教師負責制
新的實驗室必須要有全新的管理模式。新建實驗室和實驗課程的管理將根據專業教研室的特點，采取教研室主任和實驗室主任統一協調下的教師責任制。在兩大實驗板塊的基礎上，根據實驗內容的布局進一步分為4類(工藝及測試，物理測試，設計和集成電路參數測試，系統開發)進行管理。原則上，實驗設施的管理及實驗科目的開放由相應專業理論課的教師負責，在項目的建立階段，將按前述的分工實施責任制，其責任的內容包括：組織設備的安裝調試，設備使用規范細則的制定，實驗指導書的編寫等。根據專業建設的規劃，在微電子實驗室建設告一段落后，主管責任教師將逐步由較年青的教師接任。主管責任教師的責任包括：設備的維護和保養，使用規范和記錄執行情況的監督，組織對必修和選修科目實驗指導書的更新，組織實驗室開放及輔導教師的安排，完善實驗室開放的實施細則等。
實驗課將是開放式的。結合基礎實驗室的開放經驗和微電子專業實驗的特點，要求學生在完成實驗計劃和熟悉了設備使用規范細則的條件下，對其全面開放。對非微電子專業學生的開放，采取提前申請，統一完成必要的基礎培訓后再安排實驗的方式。同時將針對一些專業的特點編寫與之相適應的實驗教材。
4取得初步成果
微電子學專業實驗室通過近3年來的建設運行，實現或超過了預期建設目標，成效顯著，于2002年成功申報為"；四川省重點建設實驗室"；。現將取得的初步成果介紹如下：
(1)在微電子實驗室建設的促進下，為適應新條件下的實驗教學，我們調整了教材的選用范圍。微電子學專業主干課教材立足選用國外、國內的優秀教材，特別是國外能反映微電子學發展現狀及方向的先進教材，我們已組織教師編撰了能反映國際上集成電路發展現狀的《集成電路原理》，選用了最新出版教材《大規模集成電路設計》，并編撰、重寫及使用了《集成電路設計基礎實驗》、《超大規模集成電路設計實驗》、《平面工藝實驗》、《微電子器件原理》、《微電子器件工藝原理》等教材。
在重編實驗教材時，改掉了"；使用說明"；式的教材編寫模式。力圖使實驗教材能配合實驗教學培養目標，啟發學生的想象力和創造力，尤其是誘發學生的原發性創新能力乃至創新沖動。
(2)對本科微電子學的教學計劃、教學大綱和教材進行了深入研究和大幅度調整，并充分考慮了實驗課與理論課的有機結合。堅持并發展了我校微電子專業在器件工藝實驗上的特色和優勢，通過對實驗課及其內容進行整合更新，使實驗更具綜合性。如將過去的單一平面工藝實驗與測試分析技術有機的結合，將原來相互脫節的芯片工藝、參數測試、物理測試等有機地整合在一起，以便充分模擬真實芯片工藝流程。使學生在獨立制造出半導體器件的同時，能對工藝控制進行實時綜合分析。
(3)引入了國際上最通用、最先進的超大規模集成電路系統設計教學軟件(如CADENCE等)，使學生迅速地掌握超大規模集成電路設計的先進基本技術，激發其創造性。為了保證這一教學目的的實現，我們對
專業的整體教學計劃做了與之配合的調整。在第5學期加強了電子線路系統設計(如EDA、PSPICE等)的課程和實驗內容。在教學的第4學年又預留了足夠的學時，作為學生進一步掌握這一工具的選修題目的綜合訓練。
(4)所有的實驗根據專業基礎課的進度分段對各年級學生隨時開放。學生根據已掌握的專業理論知識和實驗指導書選擇實驗項目，提出實驗路線。鼓勵學生對可提供的實驗設施作自擬的整合，促進學生對實驗課程的全身心的投入。
在實驗成績的評定上，不簡單地看實驗結果的正確與否，同時注重實驗方案的合理性和創造性，注重是否能對實驗現象有較敏銳的觀察、分析和處理能力。
(5)通過送出去的辦法，把教師和實驗人員送到器件公司、設計公司培訓，并積極開展了校內、校際間的進修培訓。推促教師在專業基礎和實驗兩方面交叉教學，提高了教師隊伍的綜合素質。
(6)將集成電路設計實驗室建設成為電子信息類本科生的生產實習基地，為此，我們參加了中芯國際等公司的多項目晶圓計劃。
加入了國內外EDA公司的大學計劃，以利于實驗室建設發展和提高教學質量，如華大公司支持微電子實驗室建設，贈送人民幣1100萬元軟件(RFIC，SOC等微電子前沿技術)已進入實驗教學。
5結語
